T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
标准名称：功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
标准编号：T/IAWBS 009-2019
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
标准编号：T/IAWBS 009-2019
规范名称：功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。
本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京新能源汽车技术创新中心有限公司、深圳吉华微特电子有限公司。
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