T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法
标准名称：SiC晶片的残余应力检测方法
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
标准编号：T/IAWBS 008-2019
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法
标准编号：T/IAWBS 008-2019
规范名称：SiC晶片的残余应力检测方法
本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京三平泰克科技有限责任公司
*特别声明：资源收集自网络或用户上传，本网站所提供的电子文本仅供参考，请以正式出版物为准。电子文本仅供个人标准化学习、研究使用，不得复制、发行、汇编、翻译或网络传播等。如有侵权，请联系我们处理。