T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
标准名称：4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
发布日期：2018-12-06
实施日期：2018-12-17
标准编号：T/IAWBS 007-2018
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
标准编号：T/IAWBS 007-2018
规范名称：4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺
杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限 公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公 司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所
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