SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
标准名称：光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
标准编号：SJ/T 11492-2015
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
标准编号：SJ/T 11492-2015
规范名称：光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
适用范围：
本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰（λpl）在640nm～670nm范围内时，对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国科学院半导体研究所等
批准发布部门：工业和信息化部行业分类无
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