YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
标准名称：硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
发布日期：2012-11-07
实施日期：2013-03-01
标准编号：YS/T 839-2012
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
标准编号：YS/T 839-2012
规范名称：硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
适用范围：
本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用本方法。
全国有色金属标准化中心
起草单位：中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司等股份有限公司
批准发布部门：工业和信息化部行业分类无
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